References:
1. Нуридинова Р.Л //Генератор типидаги фотоқабул қилиувчи қурилмани яратиш// автoреф.дисс.доктора философии (Phd) по техн.наукам. Ташкент 2019.
2. Онаркулов К. Э., Юлдашев Ш. А., Юлдашев А. А. ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДАВЛЕНИЯ И МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЙ //Central Asian Research Journal for Interdisciplinary Studies (CARJIS). – 2022. – Т. 2. – №. 3. – С. 427-434.
3. Адирович Э.И., Мастов Э.М., Найманбаев Р., Юабов М.Ю. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника. Изд. “ФАН” Ташкент, 1972 161 с.
4. Агарев В. Н., Стафеев В. И. Нестационарный фотомагнитный эффект в многослойных структурах с p–n-переходами? //Вестник Нижегородского университета им. НИ Лобачевского. – 2013. – №. 2-1. – С. 36-38.
5. Raxmonali, N., Abduvositovich, Y. A., & Abrorovich, Y. S. (2021). Chalcogenideth in Films with Micro Transitions. International Journal of Human Computing Studies, 3(2), 226-228.
6. Онаркулов, К. Э., Юлдашев, А. А., Азимов, Т., & Йўлдошқори, Ш. (2017). Висмут-сурма теллурид юпқа пардаларнинг электрофизик хоссаларига технологик жараённинг таъсири. ФарДУ илмий хабарлар, 2, 32-35.
7. Egamberdievich, O. K., Abrorovich, Y. S., Abduvositovich, Y. A., & Qizi, Y. S. A. (2022). Determination of Microparameters of Halcogenide Thin Movies. Journal of Optoelectronics Laser, 41(5), 523-530.
8. Egamberdievich, O. K., Abrovich, Y. S., & Abduvositovich, Y. A. (2022). PHOTOMAGNETIC CONVERTER. Galaxy International Interdisciplinary Research Journal, 10(4), 434-438.
9. Onarkulov, M., Nasriddinov, S., Yuldashev, S., & Yunusaliev, L. (2020). TECHNOLOGICAL FEATURES OF OBTAINING STRENGTH SENSITIVE POLYCRYSTALLINE FILMS Bi2-XSbXTe3. Euroasian Journal of Semiconductors Science and Engineering, 2(3), 27.
10. Кадыров, К. С., Онаркулов, К. Э., Онаркулов, М. К., & Юлдашев, Ш. А. (2020). ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ BI-SB-TE. In Экономическое развитие России: тенденции, перспективы (pp. 72-76).
11. Шамирзаев, С. Х., Онаркулов, К. Э., Юсупова, Д. А., & Мухамедиев, Э. Д. (2006). Простые модели усталостной повреждаемости гетерогенных материалов с очень сложной динамикой. Фізична інженерія поверхні, (4,№ 1-2), 91-96.
12. Онаркулов, К. Э. (1998). Исследование влияния внешних воздействий на кинетические процессы в активных элементах пленочных ИК-детекторов на основе солей свинца.
13. Игамбердиев, Х. Т., Онаркулов, К. Э., Расулов, Р. Т., & Юсупова, Д. А. Предлагается новая конструкция полупроводникового датчика давления на основе тензочувствительных пленок теллурида висмута-сурьмы, позволяющая обеспечить термокомпенсацию всей приборной структуры. Приводятся технические характеристики предлагаемого тензометрического датчика для измерения давлений жидкостей и газов.