IMPURITY OF ATOMS OF MANGANESE DIFFUSION BY OUTSIDE ELECTRIC FIELD INTO SILICON

Iliyev Xalmurat Midjitovich; Xudoynazarov Zafar Burxutovich; Isakov Bobir Olimjonovich; Uralbayev Xurshid, Kushiev Giyosiddin Abdivaxob ogli

doi:10.5281/zenodo.8279994

IMPURITY OF ATOMS OF MANGANESE DIFFUSION BY OUTSIDE ELECTRIC FIELD INTO SILICON

24.08.2023 International Scientific Journal "Science and Innovation". Series A. Volume 2 Issue 8

Iliyev Xalmurat Midjitovich, Xudoynazarov Zafar Burxutovich, Isakov Bobir Olimjonovich, Uralbayev Xurshid, Kushiev Giyosiddin Abdivaxob ogli

Abstract. In this work, manganese atoms were diffused into a silicon sample using an external constant electric field, and the electrophysical parameters of the samples were studied using the Van der Paw method. In addition, the surface morphology and element composition of the samples were analyzed using a scanning electron microscope. From the results, it was found that Mn atoms were significantly diffused in the samples placed on the side of the negative pole of the constant external electric field compared to the samples placed on the side of the positive pole

Keywords: silicon, electrodiffusion, nickel, clusters, positive and negative polarity.

References:

1. М.К. Бахадырханов Диссертационная работа на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Ленинград. 1982. с 479. 2. Н.Ф. Зикриллаев, Ғ.А. Кушиев, Б.А. Абдурахманов, Ў.Х. Қурбонова, Қ.У. Вахобов. “GexSi1x бирикмалари мавжуд кремний материали олишнинг истиқболлари”// журнал ДАН РУз, 2022. №5. с 21-26. 3. А.Г. Захаров, Ю.Б. Какурин, Н.А. Филипенко. Моделирование процессов массопереноса в неоднородных твердых телах с учетом электродиффузии // Естественные науки. 2009. № 2. С. 35-37. 4. А.Г. Варехов. Электродиффузия зондирующих ионов к поверхности частиц биоколлоидов // Научное приборостроение. 2017. Т. 27, № 4. С. 24–33. 5. К.В. Шалимова. Физика полупроводников. Москва энергоатомиздат 1985. 6. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. «Наука», Ленинград – 1972. 7. Isakov, B., Hamrokulov, S., Abdurakhmonov, S. and Abdurakhmonov, H., 2023. DOPED SILICON WITH GALLIUM AND ANTIMUM IMPURITY ATOMS. Science and innovation, 2(A5), pp.255-261. https://doi.org/10.5281/zenodo.7979273 8. Бахадырханов, М.К., Кенжаев, З.Т., Турекеев, Х.С., Исаков, Б.О. and Усмонов, А.А., 2021. Геттерирующие свойства никеля в кремниевых фотоэлементах. Журнал технической физики, 91(11), pp.1685-1688. DOI: 10.21883/JTF.2021.11.51529.99-21 9. Isakov, B.O., Rakhmonov, B.R. and Subkhonberdiev, S.N., 2022. Influence of Impurity Atoms of Gallium and Antimony on the Concentration of Optically Active Oxygen in the Silicon Lattice. https://journals.researchparks.org/index.php/IJOT/article/view/3146/3066 10. Абдурахманов Б. А., Исамов С. Б., Кушиев Г. А. АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ УСТАНОВКА ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МЕТОДОМ ВАН ДЕР ПАУ //ПРИБОРЫ №. 2. – С. 14-18. 11. Kushiev G. ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF BINARY SILICON-GERMANIUM COMPOUNDS IN SILICON //Science and innovation. – 2023. – Т. 2. – №. A6. – С. 326-330. 12. Zikrillaev, N. F., Koveshnikov, S. V., Isamov, S. B., Abdurahmonov, B. A., & Kushiev, G. A. (2022). SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF Gе x Si1–x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY. Semiconductors, 56(1), 29-31. 13. М.К. Бахадырханов, Х.М. Илиев, Г.Х. Мавлонов, К.С. Аюпов, С.Б. Исамов, С.А. Тачилин. Кремний с магнитными нанокластерами атомов марганца — новый класс фотомагнитных материалов. Журнал технической физики, 2019, том 89, вып. 3. DOI: 10.21883/JTF.2019.03.47179.184-18 14. Hamrokulov, S., Kushiev, G., Isakov, B. and Umarkhodjaeva, Z., 2023. DIGITAL MICROSCOPE ANALYSIS OF CHEMICALLY CLEANED SILICON SURFACE. Science and innovation, 2(A5), pp.138-142. https://doi.org/10.5281/zenodo.7952162