SYNTHESIS AND CRYSTAL STRUCTURE OF SOLID SOLUTIONS AND THIN FILMS OF THE Mn1-xTmxSe SYSTEM

Nosirova Namunabonu Azamat qizi

doi:10.5281/zenodo.7859995

SYNTHESIS AND CRYSTAL STRUCTURE OF SOLID SOLUTIONS AND THIN FILMS OF THE Mn1-xTmxSe SYSTEM

24.04.2023 International Scientific Journal "Science and Innovation". Series A. Volume 2 Issue 4

Nosirova Namunabonu Azamat qizi

Abstract. Solid solutions of the Mn1-xTmxSe (0≤x≤0.7) system with the cubic structure of the Fm3 ̅m space group have been obtained. An increase in the concentration of Tm cations in Mn1- xTmxSe solid solutions leads to an increase in the parameter a form 0.547 nm for the Mn0.975Tm0.025Se composition to 0.566 nm for the Mn0.3Tm0.7Se composition. Thin films of solid solutions Mn1-xTmxSe (x=0.05; 0.1; 0.3) were synthesized by the "flash" method on standard substrates of optically transparent glass. It has been established that the film thicknesses are in the range of values: from 0.8 µm to 3.2 µm

Keywords: Mn1-xTmxSe, solid solutions, cation, concentration, thin films, optically transparent glass, synthesis.

References:

1. Патент РУз №IAP 05322 от 14.12.2016. Усилитель напряжения с динами-ческой нагрузкой / Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М. 2. Yodgorova D.M., Karimov A.V., Mavlyanov A.Sh. // Сontrolling mechanisms of space-charge region in compound field-effect transistors. WJERT 01.04.2018 www.wjert.org P. 31-35 3. Абдулхаев О.А., Гиясова Ф.А., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Каримов А.В. Функциональные характеристики полевого транзистора с управляяющим р-n-переходом при различных режимах включения // Физическая инженерия поверхности. PSE, 2012, т. 10, № 2. С. 230-235 4. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А., Каманов Б.М., Гиясова Ф.А. Фототранзистор составной на полевых транзисторах // Физическая инженерия поверхности. PSE, 2012, т. 10, № 2. С.226-229. 5. Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Каманов Б.М., Гиясова Ф.А., Якубов А.А. Исследование процесса стабилизации тока и напряжения с помощью кремниевого полевого транзистора // Уз.Ф.Ж. 2012. №1. С. 37-45. (01.00.00 №19) 6. O.A. Abdulhaev, D.M.Yodgorova, A.V. Karimov, B.M. Kamanov, Kahorov A. A, Kalandarov J. J. Тhe photovoltaic characteristics in parallel and consis-tently connected field transistors. “Х1-International Young Scientists Confe-rece Optics and High Technology Material Science SPO 2010” (Kyiv, 2010), Р.195-196. 7. Бахранов Х.Н., Каманов Б.М., Каландаров Ж.Ж., Кахоров А.А., Каримов А.В. Особенности стабилизации тока и напряжения с помощью полевого транзистора «Фундаментальные и прикладные проблемы современной физики» Материалы международной конференции, посвященной 80-летию академика М.С. Саидова. Ташкент 24-25 ноября 2010г., С. 186-187. 8. D.M. Yodgorova, A.V. Karimov, B.M. Kamanov, Amplifier with dynamic load on the base of eft “Thirteenth International Young Scientists Conference Optics and High Technology Material Science SPO 2012” (Kyiv, 2012), Р.169. 9. Abdulaziz Karimov, Bekzod Kamanov, Dilbara Yodgorova, Akhmad Rakhmatov, Alim Khakimov, Oybek Abdulkhaev. A High Gain JFET Amplifier with Dynamic Load // 2020 International Conference on Information Science and Communications Technologies (ICISCT) | 978-1-7281-9969-6/20/$31.00 ©2020 IEEE | DOI: 10.1109/ICISCT50599.2020.9351499 10. Каримов А.В., Каманов Б.М., Ёдгорова Д.М., Каримов А.А. Новая разновидность усилителя напряжения на полевом транзисторе с динамической нагрузкой // Физика полупроводников и микроэлектроника“ Ташкент. 2019 т.1, №5, стр.25-29. (01.00.00 №19) 11. Каманов Б.М., Расулова О.О. Новая разновидность усилителя напряжения на полевом транзисторе с управляемым коэффициентом усиления. Международная конференция «Фундаментальные и прикладные вопросы физики» - Ташкент, 22-23 сентября 2020 г.